Empyrean Patron

          依据摩尔定律及后摩尔定律，工业界一直致力于在缩小芯片面积的同时增加内部器件数量，器件本身尺寸及连接方式变得越来越受限。随着FinFET和GAAFET结构技术的开发和应用，电迁移及电压降效应（EM/IR）对芯片设计带来的挑战变得无法忽视。 
        华大九天的晶体管级EM/IR分析工具Empyrean Patron^® 聚焦于模拟芯片的电源完整性检查解决方案。集成电路设计用户可以通过该工具快速且高效的得到完整、精准、可靠的EM/IR分析数据及检查报告。